離子遷移是指電路板上的金屬如銅、銀、錫等在一定條件下發(fā)生離子化并在電場(chǎng)作用下通過絕緣層向另一極遷移而導(dǎo)致絕緣性能下降。
產(chǎn)生離子遷移的原因，是當(dāng)絕緣體兩端的金屬之間有直流電場(chǎng)時(shí)，這兩邊的金屬就成為兩個(gè)電極，其中作為陽(yáng)極的一方發(fā)生離子化并在電場(chǎng)作用下通過絕緣體向另一邊的金屬(陰極)遷移。從而使絕緣體處于離子導(dǎo)電狀態(tài)。顯然，這將使絕緣體的絕緣性能下降甚至成為導(dǎo)體而造成短路故障。
最早對(duì)這一現(xiàn)象進(jìn)行研究的是美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室的 kohman 等人,他們發(fā)現(xiàn)在電話交換機(jī)的連接件中，有些鍍?cè)阢~接線柱上的銀在酚醛樹脂基板內(nèi)有檢出，他們證實(shí)是銀離子的遷移。
這種現(xiàn)象有時(shí)會(huì)引起基板的絕緣性能下降。其發(fā)生的原因可能是在直流電壓下受潮的鍍層發(fā)生離子化而引起的。經(jīng)研究發(fā)現(xiàn)，除了銀外，鋁、錫都有類似現(xiàn)象。
但是很長(zhǎng)一個(gè)時(shí)期幾乎沒有人關(guān)注這方面的研究。直到二十世紀(jì)七十年代，有關(guān)這方面的研究又開始引起人們的注意。這時(shí)以陶瓷為基板的高密度印刷線路板和覆銅線路板開始向小型化方向發(fā)展，使對(duì)基板材質(zhì)的研究有所發(fā)展，使得又有人開始注意到離子遷移對(duì)基板絕緣性能的影響。
離子遷移測(cè)試是評(píng)價(jià)電子產(chǎn)品或元件的絕緣可靠性的一種測(cè)試方法，將樣品置于高溫高濕度的環(huán)境中，并在相鄰的兩個(gè)絕緣網(wǎng)絡(luò)之間施加一定的直流電壓(偏置電壓)，在長(zhǎng)時(shí)間的測(cè)試條件下，檢測(cè)兩個(gè)網(wǎng)絡(luò)之間是否有絕緣失效。
將測(cè)試樣品放置于高溫高濕的環(huán)境試驗(yàn)箱中，并在線路板上焊接電纜線，施加偏置電壓，然后每隔一段時(shí)間，將PCB從環(huán)境試驗(yàn)箱中取出，進(jìn)行絕緣電阻測(cè)試，這是一種間斷式的測(cè)試方法。
有效的離子遷移測(cè)試，需要將測(cè)試樣品放置于高溫高濕的環(huán)境試驗(yàn)箱中，并在線路板上焊接電纜線，引出至環(huán)境試驗(yàn)箱外的有關(guān)測(cè)試設(shè)備上，在線路板上施加促進(jìn)離子遷移發(fā)生的偏置電壓和進(jìn)行絕緣電阻測(cè)試，同時(shí)能實(shí)時(shí)檢測(cè)測(cè)試樣品上的泄漏電流。
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